中低壓SGT MOSFET

技術(shù)介紹

屏藏柵溝槽MOSFET (Shielded Gate Trench MOSFET,縮寫SGT-MOSFET)功率器件是基于傳統(tǒng)溝槽式 MOSFET(U- MOSFET)的一種改進(jìn)型溝情式功率MOSFET,通過多晶硅場(chǎng)板的引入，顯著地降低了米勒電客Codo 同時(shí)依靠厚氧化層的電荷感成效成，在傳統(tǒng)Trench MOSFET垂直耗盡(p-body/n-epl結(jié))基礎(chǔ)上引入水平耗盡，在深Trench底部引入一個(gè)新的電場(chǎng)尖峰，由此將漂移區(qū)電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植迹趯?shí)現(xiàn)同樣的擊穿電壓時(shí)降低了漂移區(qū)電阻，從而是著降低了器件的單位面積導(dǎo)通電阻。
龍騰SGT系列產(chǎn)品利用自有技術(shù)，采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù)，產(chǎn)品具有營崩耐量高及優(yōu) 化的EMI特性。產(chǎn)品電壓涵蓋30V-200V, 覆蓋各種應(yīng)用領(lǐng)域。