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中低壓溝槽MOSFET

技術(shù)介紹

功率半導(dǎo)體低壓溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Trench MOSFET)由早期的平面柵場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)過(guò)一系列演變而來(lái)， 其將水平導(dǎo)電溝道改進(jìn)為垂直導(dǎo)電溝道，使進(jìn)一步縮小單位元胞面積成為可能。同時(shí)采用低摻雜的外延層提供足夠的耐壓，通過(guò)改變外延層的摻雜濃度和厚度可以方便的獲得各種不同耐壓的器件。在保證器件擊穿電壓符合需求的基礎(chǔ)上，溝槽功率器件的一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)就是把單個(gè)原胞尺寸愈做愈小，原胞密度越來(lái)越高，從而有利于降低單位面積導(dǎo)通電阻。
龍騰中低壓溝槽MOSFET產(chǎn)品系列完善，產(chǎn)品電壓涵蓋N/P 20V~100V,優(yōu)化的器件設(shè)計(jì)及工藝，在同類(lèi)型產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域具有單位面積導(dǎo)通電阻小，寄生電容小，雪崩能量高等優(yōu)勢(shì)。針對(duì)不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ骷阅艿男枨筇攸c(diǎn)采用不同的設(shè)計(jì)方案，使器件在各自應(yīng)用 。