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高壓平面MOSFET
技術(shù)介紹

高壓平面MOSFET( PlanarMOSFET )為電壓控制型多子器件，具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
龍騰高壓平面MOSFET產(chǎn)品，采用*的VLD或JTE終端結(jié)構(gòu)，在相同Rdson條件下，具有更小的比電阻，目前產(chǎn)品電壓涵蓋500V、600V、650V、700V、800V多個(gè)平臺(tái)，電流涵蓋2A-20A多個(gè)系列，提供T0-220、TO-220F、TO-247、TO-251、TO-252、T0-263在內(nèi)的多種封裝外形選擇。