Ignition IGBT/IGBT絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管/光伏igbt/電磁爐igbt/半導(dǎo)體igbt/羅姆igbt代理/大功率igbt/變頻器igbt/igbt器件/igbt供應(yīng)商/igbt生產(chǎn)廠家/igbt半導(dǎo)體/igbt晶體管/igbt單管/電焊機(jī)igbt/igbt管/絕緣柵雙極晶體管/ROHM羅姆igbt/功率雙極晶體管/功率半導(dǎo)體器件/半導(dǎo)體功率器件/igbt和mos管的區(qū)別/igbt經(jīng)銷(xiāo)商/igbt和mosfet區(qū)別/igbt和場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別/IGBT晶體管650V絕緣柵雙極晶體管/rohm功率器件/rohm晶體管/ROHM igbt代理igbt元件IField Stop Trench IGBT/電源IGBT/車(chē)規(guī)IGBT/汽車(chē)IGBT/ROHM絕緣柵雙極晶體管/便宜的igbt/大功率igbt晶體管/晶體管電源IGBT/絕緣柵雙極晶體管IGBT igbt高頻/超高速igbt/高速開(kāi)關(guān)IGBT雙極管/節(jié)能IGBT/高電壓IGBT/大電流IGBT低開(kāi)關(guān)損耗IGBT/控制器igbt/汽車(chē)IGBT

型號(hào) 支持車(chē)載（AEC-Q101) VCES (V) Lc (A) PD (W) VCE(sat)TYP. (V) tsc Min. (usec) LF(Diode) (A) VF(Diode) Typ. (V) 封裝
Tc=25℃ Tc=100℃ Lc (A) Tc=25℃ Tc=100℃ lF(A)
RGTH系列
RGTH40TS65 –– 650 40 20 144 1.6 20 –– –– –– –– –– TO-247N
RGTH50TS65 –– 650 50 25 174 1.6 25 –– –– –– –– ––
RGTH60TS65 –– 650 58 30 194 1.6 30 –– –– –– –– ––
RGTH80TS65 –– 650 70 40 234 1.6 40 –– –– –– –– ––
RGTH00TS65 –– 650 85 50 277 1.6 50 –– –– –– –– ––
RGTH40TS65D※ –– 650 40 20 144 1.6 20 –– 35 20 1.45 20
RGTH50TS65D※ –– 650 50 25 174 1.6 25 –– 35 20 1.45 20
RGTH60TS65D※ –– 650 58 30 194 1.6 30 –– 40 20 1.35 20
RGTH80TS65D※ –– 650 70 40 234 1.6 40 –– 40 20 1.35 20
RGTH00TS65D※ –– 650 85 50 277 1.6 50 –– 50 30 1.45 30
RGTH40TK65 –– 650 23 14 56 1.6 20 –– –– –– –– –– TO-3PFM
RGTH50TK65 –– 650 26 16 59 1.6 25 –– –– –– –– ––
RGTH60TK65 –– 650 28 17 61 1.6 30 –– –– –– –– ––
RGTH80TK65 –– 650 31 19 66 1.6 40 –– –– –– –– ––
RGTH00TK65 –– 650 35 21 72 1.6 50 –– –– –– –– ––
RGTH40TK65D※ –– 650 23 14 56 1.6 20 –– 26 15 1.45 20
RGTH50TK65D※ –– 650 26 16 59 1.6 25 –– 26 15 1.45 20
RGTH60TK65D※ –– 650 28 17 61 1.6 30 –– 28 16 1.35 20
RGTH80TK65D※ –– 650 31 19 66 1.6 40 –– 28 16 1.35 20
RGTH00TK65D※ –– 650 35 21 72 1.6 50 –– 34 19 1.45 30
RGCL系列
RGCL60TS60 –– 600 48 30 111 1.4 30 –– –– –– –– –– TO-247N
RGCL80TS60 –– 600 65 40 148 1.4 40 –– –– –– –– ––
RGCL60TS60D※ –– 600 48 30 111 1.4 30 –– 35 20 1.45 20
RGCL80TS60D※ –– 600 65 40 148 1.4 40 –– 35 20 1.45 20
RGCL60TK60 –– 600 30 18 54 1.4 30 –– –– –– –– –– TO-3PFM
RGCL80TK60 –– 600 35 21 57 1.4 40 –– –– –– –– ––
RGCL60TK60D※ –– 600 30 18 54 1.4 30 –– 26 15 1.45 20
RGCL80TK60D※ –– 600 35 21 57 1.4 40 –– 26 15 1.45 20
RGTH系列
RGTV00TS65 –– 650 95 50 276 1.5 50 2 –– TO-247N
RGTV00TS65D※ –– 650 95 50 276 1.5 50 2 84 50 1.45 50
RGTV60TS65 –– 650 60 30 194 1.5 30 2 ––
RGTV60TS65D※ –– 650 60 30 194 1.5 30 2 56 30 1.45 50
RGTVX6TS65 –– 650 144 80 404 1.5 80 2 ––
RGT系列
RGT8NL65D※ –– 650 8 4 65 1.65 4 5 7 4 1.45 4 TO-263L(LPDL)
RGT16NL65D※ –– 650 16 8 94 1.65 8 5 16 8 1.4 8
RGT16TM65D※ –– 650 9 5 22 1.65 8 5 13 7 1.4 8 TO-220NFM
RGT30NL65D※ –– 650 30 15 133 1.65 15 5 26 15 1.5 15 TO-263L(LPDL)
RGT30TM65D※ –– 650 14 8 32 1.65 15 5 17 9 1.5 15 TO-220NFM
RGT40NL65D※ –– 650 40 20 161 1.65 20 5 35 20 1.45 20 TO-263L(LPDL)
RGT40TM65D※ –– 650 17 10 39 1.65 20 5 22 13 1.45 20 TO-220NFM
RGT50NL65D※ –– 650 48 25 194 1.65 25 5 35 20 1.45 20 TO-263L(LPDL)
RGT50TM65D※ –– 650 21 13 47 1.65 25 5 22 13 1.45 20 TO-220NFM
RGT8BM65D※ –– 650 8 4 62 1.65 4 5 7 4 1.45 4 TO-252
RGT16BM65D※ –– 650 16 8 94 1.65 8 5 16 8 1.4 8
RGT8NS65D※ –– 650 8 4 65 1.65 4 5 7 4 1.45 4 TO-263L(LPDL)/ TO-262
RGT16NS65D※ –– 650 16 8 94 1.65 8 5 16 8 1.4 8
RGT30NS65D※ –– 650 30 15 133 1.65 15 5 26 15 1.5 15
RGT40NS65D※ –– 650 40 20 161 1.65 20 5 35 20 1.45 20
RGT50NS65D※ –– 650 48 25 194 1.65 25 5 35 20 1.45 20
RGT40TS65D※ –– 650 40 20 144 1.65 20 5 35 20 1.45 20 TO-247N
RGT50TS65D※ –– 650 48 25 174 1.65 25 5 35 20 1.45 20
RGT60TS65D※ –– 650 55 30 194 1.65 30 5 40 20 1.35 20
RGT80TS65D※ –– 650 70 40 234 1.65 40 5 40 20 1.35 20
RGT00TS65D※ –– 650 85 50 277 1.65 50 5 50 30 1.45 30
RGS系列
RGS60TS65DHR※ YES 650 56 30 223 1.65 30 8 56 30 1.45 30 TO-247N
RGS80TS65DHR※ YES 650 73 40 272 1.65 40 8 56 30 1.45 30
RGS00TS65DHR※ YES 650 88 50 326 1.65 50 8 56 30 1.45 30
RGS00TS65EHR※ YES 650 88 50 326 1.65 50 8 84 50 1.45 50

源芯半導(dǎo)體碳化硅SIC現(xiàn)貨專(zhuān)家，專(zhuān)營(yíng)：SiC碳化硅功率元器件SiC Mosfet 、SiC SBD-碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管全SiC功率模塊、SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片IC-IPM智能功率模塊、ROHM碳化硅、CREE碳化硅功率元器件