
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | TOSHIBA/東芝 |
| 型號(hào): | TK12A60D(STA4,Q,M) |
| 封裝: | SOT-23 |
| 批次: | 22+ |
| 數(shù)量: | 250000 |
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | π-MOSVII |
| FET 類(lèi)型: | N 通道 |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): | 12A(Ta) |
| 驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值): | 550 毫歐 @ 6A,10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值): | 4V @ 1mA |
| Vgs(值): | ±30V |
| 功率耗散(值): | 45W(Tc) |
| 工作溫度: | 150°C(TJ) |
| 安裝類(lèi)型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 整包 |
| 漏源電壓(Vdss): | 600V |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值): | 38nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值): | 1800pF @ 25V |














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