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IPB120N04S4-02 集成電路、處理器、微控制器 Infineon 英飛凌 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IPB120N04S4-02
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-12-06 19:56:01
  • 瀏覽次數(shù)：8
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：698條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-12-06
  • 最近登錄：2023-12-06
  • 聯(lián)系人：王振安
  • 電    話：13590254191

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：IPB120N04S4-02批次：21+數(shù)量：12000制造商：Infineon產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續(xù)漏極電流：120ARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：Infineon 英飛凌
型號(hào)：IPB120N04S4-02
批次：21+
數(shù)量：12000
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-263-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：40 V
Id-連續(xù)漏極電流：120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.58 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：2 V
Qg-柵極電荷：134 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：158 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
高度：4.4 mm
長度：10 mm
系列：OptiMOS-T2
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：9.25 mm
下降時(shí)間：30 ns
上升時(shí)間：16 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
典型接通延遲時(shí)間：27 ns
零件號(hào)別名：IPB120N04S402ATMA1 SP000764726 IPB12N4S42XT IPB120N04S402ATMA1
單位重量：4 g
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