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深圳市芯宇華航科技有限公司

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當(dāng)前位置：深圳市芯宇華航科技有限公司>>集成電路(IC)>>PMIC/穩(wěn)壓器/線性>> IRFR13N20DTRPBFINFINEON/英飛凌 場效應(yīng)管 IRFR13N20DTRPBF MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

INFINEON/英飛凌 場效應(yīng)管 IRFR13N20DTRPBF MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：IRFR13N20DTRPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：PMIC/穩(wěn)壓器/線性
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-12-07 17:19:21
  • 瀏覽次數(shù)：5
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：964條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-12-07
  • 最近登錄：2023-12-07
  • 聯(lián)系人：吳藝溶
  • 電    話：17806714545
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON/英飛凌
型號：IRFR13N20DTRPBF
封裝：TO-252
批次：20+
數(shù)量：10000
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-252-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：200 V
Id-連續(xù)漏極電流：14 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：235 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：30 V
Qg-柵極電荷：25 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：110 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
高度：2.3 mm
長度：6.5 mm
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：6.22 mm
下降時間：10 ns
上升時間：27 ns
典型關(guān)閉延遲時間：17 ns
典型接通延遲時間：11 ns
零件號別名：SP001567488
單位重量：4 g
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