
技術參數
| 品牌: | INFINEON/英飛凌 |
| 型號: | IPD60R400CE |
| 封裝: | TO-252 |
| 批次: | 20+ |
| 數量: | 10000 |
| 制造商: | Infineon |
| 產品種類: | MOSFET |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
| 高度: | 2.3 mm |
| 長度: | 6.5 mm |
| 寬度: | 6.22 mm |
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技術參數品牌:INFINEON/英飛凌型號:IPD60R400CE封裝:TO-252批次:20+數量:10000制造商:Infineon產品種類:MOSFET安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:TO-252-3Vds-漏源極擊穿電壓:600V高度:2

| 品牌: | INFINEON/英飛凌 |
| 型號: | IPD60R400CE |
| 封裝: | TO-252 |
| 批次: | 20+ |
| 數量: | 10000 |
| 制造商: | Infineon |
| 產品種類: | MOSFET |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
| 高度: | 2.3 mm |
| 長度: | 6.5 mm |
| 寬度: | 6.22 mm |
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