細胞損傷儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制適合腦源性細胞培養樣品或其它離體培養細胞的牽張性（strain-induced trauma）損傷模型制作。損傷后可進行神經生化、形態學、生理學藥物干預等方面的研究。

細胞損傷控制儀設計的組織培養系統。細胞損傷控制儀把壓縮氣體送到每個培養室以造成培養組織牽張性的損傷損傷的嚴重程度是通過控制進出密閉培養室的氣體量來實現。培養室的峰值壓力同時被記錄下來這個數值可以用來精確地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。

細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

根據所采用的細胞種類、損傷的程度、培養的狀況受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應用在下列損傷反應研究細胞受損、修護死亡藥物介入。

主要技術參數

采用電子式控制適合腦源性細胞培養樣品的制作

適合細胞受損、修護死亡藥物介入等方面研究

使用Flexcell Int’l corp組織培養系統

帶獨立的細胞培養室通過控制輸入的氣體量實現細胞損傷

膜伸展程度120%-155%

膜變形范圍5.5mm-7.5mm

傷等效峰值壓力范圍8.2-11.5PSI

培養室的峰值壓力可被實時被記錄下來

可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

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