產品簡介
技術參數品牌：安森美型號：NTMFS4C06NT1G封裝：QFN8批次：16+數量：10296制造商：onsemi產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8FL-4晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：69ARdsOn-漏源導通電阻：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | 安森美 |
| 型號： | NTMFS4C06NT1G |
| 封裝： | QFN8 |
| 批次： | 16+ |
| 數量： | 10296 |
| 制造商： | onsemi |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SO-8FL-4 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 69 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 3.2 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.2 V |
| Qg-柵極電荷： | 26 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 30.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 3 ns |
| 正向跨導 - 最小值： | 58 S |
| 上升時間： | 28 ns |
| 系列： | NTMFS4C06N |
| 晶體管類型： | 24 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 8 ns |
| 典型接通延遲時間： | 750 mg |
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