技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IPP65R190CFD |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | TO-220 |
| 數(shù)量： | 5000 |
| QQ： | 884827 |
| 制造商： | Infineon |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 650 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 17.5 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 190 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 68 nC |
| Pd-功率耗散： | 151 W |
| 配置： | Single |
| 商標名： | CoolMOS |
| 封裝： | Tube |
| 高度： | 15.65 mm |
| 長度： | 10 mm |
| 系列： | CoolMOS CFD2 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.4 mm |
| 商標： | Infineon Technologies |
| 下降時間： | 6.4 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 8.4 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 零件號別名： | IPP65R190CFDXKSA1 SP000881160 IPP65R19CFDXK IPP65R190CFDXKSA1 |
| 單位重量： | 6 g |
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