
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | ST/意法半導(dǎo)體 |
| 型號: | STP80NF70 |
| 數(shù)量: | 2000 |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風(fēng)格: | Through Hole |
| 封裝 / 箱體: | TO-220-3 |
| 通道數(shù)量: | 1 Channel |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 68 V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 98 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 9.8 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V |
| Qg-柵極電荷: | 75 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 工作溫度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 190 W |
| 配置: | Single |
| 通道模式: | Enhancement |
| 系列: | STP80NF70 |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 下降時間: | 75 ns |
| 上升時間: | 60 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間: | 90 ns |
| 典型接通延遲時間: | 17 ns |
| 單位重量: | 330 mg |














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