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深圳維爾克斯光電有限公司

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進(jìn)口 IMPATT 太赫茲源 太赫茲發(fā)生器丨100mW高功率

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià): 39
訂  貨  量: ≥1臺
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:IMPATT太赫茲源
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:光學(xué)機(jī)具及配件
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2022-10-31 22:00:07
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  • 商鋪產(chǎn)品:439條
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  • 聯(lián)系人:劉玉剛
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產(chǎn)品簡介

美國TERASENSE進(jìn)口IMPATT太赫茲源太赫茲發(fā)生器+100mW高功率IMPATTDIODE

詳情介紹

美國TERASENSE進(jìn)口 IMPATT 太赫茲源 太赫茲發(fā)生器+100mW高功率

IMPATT DIODE,產(chǎn)生太赫茲波,產(chǎn)生高功率太赫茲波

IMPATT太赫茲源,亞太赫茲源,太赫茲發(fā)生器 THz-IMPATT崩雪二極管——維爾克斯光電提供

Terasense太赫茲源的產(chǎn)品特點(diǎn):

可根據(jù)客戶需求定制快速的太赫茲成像系統(tǒng)

TERASENSE公司提供高功率IMPATT DIODE太赫茲源

標(biāo)準(zhǔn)版輸出頻率100GHz,140GHz,300GHz,標(biāo)準(zhǔn)輸出功率是10mw-100mw。

窄線寬<1mhz,

使用壽命1000小時(shí)

可選配TTL調(diào)制模塊

調(diào)制上升沿時(shí)間1us

IMPATT DIODE太赫茲發(fā)生器,IMPATT亞太赫茲源

美國TERASENSE公司提供百毫瓦量級的IMPATT太赫茲源。亞太赫茲源IMPATT又名崩雪二極管,IMPATT二極管是一類非常高效的微波和亞太赫茲波發(fā)生器件,其工作頻率范圍約為80-300GHz,窄線寬<1mhz。主要的優(yōu)點(diǎn)是他們具有很高的輸出功率和緊湊小巧的外形封裝。impatt具有非常窄的工作頻率帶寬,所以二極管內(nèi)部尺寸必須根據(jù)響應(yīng)的頻率來設(shè)計(jì)。

IMPATT二極管是“Impact ionization Avalanche Transit-Time二極管"的縮寫,翻譯過來就是碰撞雪崩(IMP)和渡越時(shí)間(ATT)二極管,代表一種高功率半導(dǎo)體二極管,通常用于高頻微波器件。IMPATT二極管早在1958年就由貝爾實(shí)驗(yàn)室的W. Т. Read提出。目前,雪崩二極管已成為常用的固體微波功率源。在整個(gè)微波頻率范圍(約1千兆赫至10千兆赫)的接收機(jī)和某些發(fā)射機(jī)內(nèi)可獲得足夠的連續(xù)波功率,該技術(shù)允許在幾GHz到幾百GHz的頻率范圍內(nèi)產(chǎn)生亞太赫茲波。

IMPATT diode是一種具有負(fù)阻特性的周態(tài)微波二極管,其特性系由薄基片中的碰撞雪崩擊穿效應(yīng)和載流子渡越時(shí)間效應(yīng)結(jié)合產(chǎn)生,而基片通常由砷化鎵或硅制成。當(dāng)將這種二極管適當(dāng)?shù)匕惭b在可調(diào)諧腔體或波導(dǎo)中時(shí),由載流子渡越時(shí)間引起的負(fù)阻被用作振蕩器以產(chǎn)生微波振蕩。 與其他類型的二極管發(fā)電機(jī)相比,IMPATT的特點(diǎn)是高功率能力。

IMPATT二極管的特點(diǎn):

- 大功率 100mW)

- 供電穩(wěn)定

- 固定頻率

- 體積小

-

- 使用壽命長


IMPATT二極管的工作原理

IMPATT二極管具有和標(biāo)準(zhǔn)PN結(jié)類似的I-V特性(圖1a)。當(dāng)電壓達(dá)到時(shí),二極管開始正向?qū)ǎ钄喾聪螂娏鳌5牵?dāng)電壓高于擊穿電平時(shí),發(fā)生雪崩擊穿,電流反向流動。

在具有不同類型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的IMPATT二極管中可以產(chǎn)生微波。但是,IMPATT二極管的工作原理便于以p + - n - i - n + - 二極管結(jié)構(gòu)為例來說明(圖1b)。這里,雪崩倍增和載流子漂移的區(qū)域在空間上是分開的。電場強(qiáng)度發(fā)生在p + - n - 二極管結(jié)的區(qū)域(圖1e)。

電場在n區(qū)域急劇下降,在i區(qū)域幾乎保持不變。該區(qū)域在高反向電壓下耗盡。當(dāng)反向電壓增加時(shí),某一點(diǎn)的連接處的電場將超過擊穿的值。擊穿導(dǎo)致碰撞電離系數(shù)α達(dá)到高值。由于α強(qiáng)烈依賴于電場強(qiáng)度,所以碰撞電離區(qū)域的范圍很小。

雪崩增加了自由電子的數(shù)量,這個(gè)區(qū)域被稱為雪崩倍增區(qū)域。形成的空穴由結(jié)的內(nèi)部電場攜帶到p +區(qū)域,并且到達(dá)i區(qū)域的電子在恒定電場中移動到n +區(qū)域(圖1c)。如果輕摻雜區(qū)域的電場強(qiáng)度高,則電子速度幾乎保持恒定。

發(fā)生等速電子運(yùn)動的耗盡區(qū)域稱為漂移區(qū)。由于差分電子遷移率接近零,當(dāng)電子移動時(shí),體積電荷密度不會降低。

IMPATT太赫茲源電路

通過IMPATT二極管的電流應(yīng)該受到一定的限制。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),維爾克斯光電代理的Terasense設(shè)計(jì)了一個(gè)電路,一個(gè)電源通過一個(gè)限流電阻驅(qū)動二極管,此外,射頻信號的直流隔離由射頻扼流圈完成。 IMPATT二極管應(yīng)該集成在一個(gè)調(diào)諧電路中,通常是一個(gè)波導(dǎo)腔。 一旦施加電源電壓,該電路中就會出現(xiàn)振蕩。


TeraSense公司IMPATT太赫茲源技術(shù)參數(shù):

可定制頻率范圍

100Ghz-140GHz

輸出功率

80mw/30mw

頻率線寬

1Mhz typical

工作電壓

15-16v

工作電流

110-120mA

可選模塊

TTL調(diào)制模塊 1us上升沿時(shí)間

錐形天線

高功率模塊 >40mw

TeraSense公司IMPATT雪崩二極管規(guī)格參數(shù):

型號

IMPATT diode@100GHz

IMPATT diode@140GHz

IMPATT diode@180GHz

IMPATT diode@300GHz

操作頻率

100GHz

140GHz

180GHz

300GHz

TTL調(diào)制

1μs上升或下降時(shí)間

輸出功率

80-330 mW

>30 mW

>10 mW

>10 mW

天線/法蘭

嚴(yán)格固定/WR-8 或WR-10

嚴(yán)格固定/WR-6

嚴(yán)格固定/WR

嚴(yán)格固定/WR


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