硒酸銀(AgGaSe2, AGSE)是一種紅外輻射倍頻晶體，其透射光譜為μm-18μm，在1800 nm中心附近無殘余電子射線吸收。AGSE的有效傳輸范圍在μm以內，且相位匹配范圍寬，在各種激光泵浦下具有很好的應用潛力。在μm處，用Ho：YLF激光泵浦AGSE可獲得μm范圍內的調諧。
AgGaSe2晶體，AgGaS2晶體和CdSe晶體都屬于非線性晶體。硒酸銀(AgGaSe2, AGSE)是一種紅外輻射倍頻晶體，其透射光譜為μm-18μm，在1800 nm中心附近無殘余電子射線吸收。硫鎵銀晶體(AgGaS2, AGS)在紅外光譜范圍內，AGS已被證明是一種非線性參量相互作用晶體。其透明區為~12μm，基于AGS的光學參量振蕩器在紅外光譜范圍內具有連續可調諧的寬波長輻射特性。在Nd：YAG激光器泵浦的光學參量振蕩器中，采用了從550 nm開始的高短波長透明性。采用250nm泵浦激光器，可調諧~μm左右的AGS光參量振蕩器，輸出范圍可通過和頻混頻或差頻混頻(sfm/dfm)來擴展。該晶體具有較高的非線性系數、較高的損傷閾值和較寬的透射范圍.它還具有較低的光吸收和散射，較低的波前畸變。AGS具有近紅外和深紅外非線性相互作用的優點.AGS在~12μm范圍內是透明的。
硒化鎘(CdSe)晶體具有高達24μm的紅外傳輸特性，具有相當大的非線性(d31 = 18 pm/V)和較小的離場角。CdSe晶體可應用于差頻產生(DFG)，光學參量振蕩(OPO)方案，提供超過12μm的吸收邊以上的紅外激光輻射。例如，CdSe OPO有可能被2μm的Tm摻雜、Ho摻雜、Tm和Ho共摻激光器泵浦，并產生長紅外空轉輻射。除非線性光學應用外，硒化鎘晶體材料還可用于紅外光學元件：基片、偏振片、波片等。
硒酸銀晶體主要特點：
-優良的傳輸范圍從到18μm
-低光吸收和低散射
-高FOM（品質因數），用于NIR和MIR中的非線性相互作用
AgGaSe 2晶體主要應用：
- ~μm紅外區的頻率混合
-CO2激光器的二次諧波產生與上轉換
-效率達到10%的固體激光器的可調諧OPO
AgGaSe 2晶體技術特性：
化學公式 | AgGaSe2 |
晶體結構 | 四邊形，42m |
晶格參數 | A=，c= |
光學對稱性 | 負單軸(NO>Ne，λ<804>NO) |
密度 | 克/厘米3 |
Mohs硬度 | |
透明度范圍@“0"透過率水平 | μm |
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) | no2=+/(λ))-λ2; ne2=+/(λ))-λ2 |
折射率@μm | no=917，ne = 585 |
激光損傷閾值 | >10兆瓦/cm2@μm，150 ns |
硫鎵銀晶體主要特點：
-傳輸范圍為到12μm的非線性特性
-低光吸收和低散射
-短波長透光。
AgGaS2晶體主要應用：
-~μm中紅外區的頻率混合
-CO的二次諧波產生與上轉換2雷射
-固體激光器的可調諧OPO
AgGaS2晶體技術特性：
化學公式 | AgGaS2 |
晶體結構 | 四邊形，42m |
晶格參數 | A=42，c= |
光學對稱性 | 負單軸(N)o>ne，λ<0，497μmne>no) |
密度 | 克/厘米3 |
Mohs硬度 | |
透明度范圍@“0"透過率水平 | μm |
Sellmeier方程@0，54-12，9μm(λinμm) | no2=9419+/(λ)2 – ) – ×10-3 λ2 + ×10-7 λ4 – ×10-9 λ6; ne2=+/(λ)2 – ) – 240×10-3 λ2 + ×10-7 λ4 – ×10-9 λ6 |
折射率@321μm | no=，ne = |
硫鎵銀晶體產品規格：
透光孔徑 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-毫米 |
厚度公差 | ±毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護槽 | < mm at 45° |
表面質量 | 20-10 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | BBar/BBar@μm/μm |
激光損傷閾值 | >350兆瓦/厘米2@1064 nm，10 ns |
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