
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | INFINEON |
| 型號: | FF600R12ME4 |
| 批號: | 19+ |
| 封裝: | 原廠封裝 |
| 數(shù)量: | 8000 |
| QQ: | |
| 制造商: | Infineon |
| 產(chǎn)品種類: | IGBT 模塊 |
| 配置: | Dual |
| 集電極—發(fā)射極電壓 VCEO: | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓: | 2.1 V |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流: | 995 A |
| 柵極—射極漏泄電流: | 400 nA |
| Pd-功率耗散: | 4050 W |
| 最小工作溫度: | - 40 C |
| 工作溫度: | + 150 C |
| 安裝風(fēng)格: | Chassis Mount |
| 柵極/發(fā)射極電壓: | 20 V |
| 零件號別名: | FF600R12ME4BOSA1 SP000635448 FF600R12ME4BOSA1 |
| 單位重量: | 345 g |














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