科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀功能方法
電池測量：電池充放電測試、恒電流充放電
計時分析：計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC）
暫態(tài)極化：任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
穩(wěn)態(tài)極化：開路電位測量（OCP）、恒電位極化（i-t 曲線）、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL 曲線）、動電流掃描（DGP）
交流阻抗功能 ：電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～時間掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～電伏安分析：線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）溶出伏安恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安位掃描（Mott-Schottky曲線）
科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀硬件參數(shù)指標(biāo)
| 測量通道 | 3個（同時測量） |
| 通道絕緣電阻 | >100MΩ |
| 恒電位控制范圍 | ±10V |
| 電位控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
| 電位靈敏度 | 10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz) |
| 電位上升時間 | ﹤1mS(<10mA),<10mS(<2A) |
| 參比電極輸入阻抗 | 1012Ω||20pF |
| 槽壓輸出 | ±12V |
| CV 和LSV掃描速度 | 0.001mV～10000V/s |
| CA和CC脈沖寬度 | 0.0001～65000s |
| SWV頻率 | 0.001～100KHz |
| AD數(shù)據(jù)采集 | 16bit@1MHz，20bit @1kHz |
| DA分辨率 | 16bit |
| 建立時間 | 1mS |
| 低通濾波器 | 8段可編程 |
| 通訊方式 | 網(wǎng)口通訊 |
| 恒電流控制范圍 | ±500mA |
| 電流控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) |
| 電流靈敏度 | <1pA |
| 電流量程 | 2A～2nA，共10檔 |
| 較大輸出電流 | 500mA |
| 電流掃描增量 | 1mA @1A/mS |
| 電位掃描電位增量 | 0.076mV @1V/mS |
| DPV和NPV脈沖寬度 | 0.0001～1000s |
| CV的較小電位增量 | 0.075mV |
| IMP頻率 | 10mHz～1MHz |
| 電流與電位量程 | 自動設(shè)置 |
科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀化學(xué)阻抗測量指標(biāo)
| 信號發(fā)生器 | |
| 頻率響應(yīng) | 10mHz～1MHz |
| 頻率精度 | 0.005% |
| DDS輸出阻抗 | 50Ω |
| 正弦波失真率 | <1% |
| 掃描方式 | 對數(shù)/線性，增加/下降 |
| 交流信號幅值 | 1mV～2500mV |
| 信號分辨率 | 0.1mV RMS |
| 直流偏壓 | -10V～+10V |
| 波形 | 正弦波，三角波，方波 |
| 信號分析器 | |
| 較大積分時間 | 106個循環(huán)或者105S |
| 較小積分時間 | 10mS 或者一個循環(huán)的較長時間 |
| 測量時間延遲 | 0～105S |
| 直流偏置補償 | |
| 電位補償范圍 | -10V～+10V |
| 帶寬調(diào)整 | 自動或手動設(shè)置, 共8級可調(diào) |
| 電流補償范圍 | -1A～+1A |
科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀配置
硅橡膠6支
輔助陰極 3套
網(wǎng)口通訊線 1條
模擬電解池3個
專用電解池 3套
電源線 220V 1條
飽和甘汞電極3支
電極電纜線 1.2m 3條
配套軟件 CS Studio 1套
多通道電化學(xué)工作站 CS3003 1臺
選配：電腦
選配：烘箱
選配：天平
關(guān)鍵詞：武漢科思特、犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀、電化學(xué)工作站、科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀、多通道電化學(xué)工作站
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