技術參數(shù)
| 品牌: | ST |
| 型號: | STB57N65M5 |
| 封裝: | TO-263-3 |
| 批次: | 21+ |
| 數(shù)量: | 999999 |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-263-3 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 650 V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | A |
| Rds On-漏源導通電阻: | 63 mOhms |
| Pd-功率耗散: | 250 W |
| 系列: | STB57N65M5 |
| 單位重量: | 4 g |














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