技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | IR |
| 型號: | IRF9953TRPBF |
| 批號: | 20+ |
| 封裝: | SOP8 |
| 數(shù)量: | 20000 |
| QQ: | |
| 制造商: | Infineon |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | SO-8 |
| 晶體管極性: | P-Channel |
| 通道數(shù)量: | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 165 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 1 V |
| Qg-柵極電荷: | nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 工作溫度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 2 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Dual |
| 高度: | mm |
| 長度: | mm |
| 晶體管類型: | 2 P-Channel |
| 寬度: | mm |
| 單位重量: | 540 mg |




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