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深圳市歐力信科技有限公司

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NXP 場(chǎng)效應(yīng)管 PMGD175XN,115 MOSFET - 陣列 2 N-通道（雙） 30V 900mA 390mW 表面貼裝型 6-TSSOP

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：PMGD175XN
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-01-19 11:22:03
  • 瀏覽次數(shù)：9
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1021條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2016-05-15
  • 最近登錄：2023-01-19
  • 聯(lián)系人：邱先生
  • 電    話：15814741335
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：NXP型號(hào)：PMGD175XN,115批號(hào)：20+封裝：SOT-363數(shù)量：3650QQ：制造商：NXPUSAInc.FET類型：2N-通道（雙）FET功能：邏輯電平門(mén)漏源電壓（Vdss）：30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：900mA不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（值）：225毫歐@1A

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：NXP
型號(hào)：PMGD175XN,115
批號(hào)：20+
封裝：SOT-363
數(shù)量：3650
QQ：
制造商：NXP USA Inc.
FET 類型：2 N-通道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源電壓（Vdss）：30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：900mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）：225 毫歐 @ 1A，
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）： @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）： @
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）：75pF @ 15V
功率 - 值：390mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：6-TSSOP
基本產(chǎn)品編號(hào)：PMGD1
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