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　　產(chǎn)品參數(shù)：

　　電子束鍍膜設(shè)備

　　主要用途：

　　用于制備導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、光學(xué)薄膜等，廣泛應(yīng)用于大專院校、科研機(jī)構(gòu)的科研及小批量生產(chǎn)。

　　系統(tǒng)組成:

　　系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺等部分組成。

　　技術(shù)指標(biāo)：

　　1.極限真空度：≤×10 Pa

　　2.恢復(fù)真空時(shí)間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min

　　3.系統(tǒng)漏率：6. 7×/S；

　　型電子槍：陽極電壓：8kv(1套)

　　5.坩堝：水冷式坩堝，4穴設(shè)計(jì)，每個(gè)容量11ml

　　6.功率：0-8KW可調(diào)

　　7.電阻蒸發(fā)源(可選)電壓：5V

　　8.功率：電流300A，輸出功率2Kw1套，可切換水冷電

　　極3根，組成2個(gè)蒸發(fā)舟

　　9.基片尺寸：可放置4″基片

　　10.樣品臺：基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm加熱溫度 600°C±1°C，可調(diào)手動控制樣品擋板組件1套

　　氣路系統(tǒng)：質(zhì)量流量控制器1路

　　石英晶振膜厚控制儀：監(jiān)測膜厚顯示范圍：0-99μ9999?