技術參數
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | DMN63D8LDW-7 |
| 封裝： | SOT-363-6 |
| 批次： | 18+ |
| 數量： | 100000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-363-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 260 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 800 mV |
| Qg-柵極電荷： | nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 400 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | DMN63D8 |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 80 mS |
| 下降時間： | ns |
| 上升時間： | ns |
| 典型關閉延遲時間： | 12 ns |
| 典型接通延遲時間： | ns |
| 單位重量： | 6 mg |
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