BBO普克爾盒 RTP Q開關(guān) BBO開關(guān) DKDP Q開關(guān) 非常適合高重復(fù)頻率或高功率激光應(yīng)用的BBO電光Q開關(guān)和BBO電光調(diào)制器,它采用美國fastpulse公司優(yōu)質(zhì)BBO晶體,光學(xué)質(zhì)量好，雙折射應(yīng)力低，消光比高，波前畸變小，在紫外到近紅外波段的光學(xué)吸收小，因而透過率高。
RTP Q開關(guān) BBO開關(guān) DKDP Q開關(guān)
BBO普克爾盒特點(diǎn)：
◎ 光譜范圍250-1100nm
- 高消光比
- 微弱的壓電反應(yīng)
- 高損傷閾值
- 高平均功率
單晶體/雙晶體配置任選
和BBO電光Q開關(guān)在1-50KHz的重復(fù)頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出可以忽略的壓電反應(yīng)。
,BBO電光Q開關(guān)與激光脈沖選通系統(tǒng)匹配良好，非常應(yīng)用于再生激光放大器的種子注入、選通、斬波和偏振旋轉(zhuǎn)等應(yīng)用。的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它不會(huì)帶來明顯的壓電效應(yīng)。
,BBO電光Q開關(guān)所用的BBO晶體的有用光學(xué)波段是250-2100nm,在350-1100nm波段增透鍍膜后的光學(xué)透過率可達(dá)98.5％。單塊晶體的典型消光比可達(dá)1000：1@633nm（>30db）,單次波前畸變<1/8波長@633nm,在較寬的溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BBO晶體表現(xiàn)出輕微的吸濕性，因此必須對(duì)其密閉使用，當(dāng)然，在干燥，潔凈的空間內(nèi)，您可以大膽地去使用。
,BBO電光Q開關(guān)的激光損傷閾值與RTP相當(dāng)，大約為850MW/cm2 @10ns, 1064nm.對(duì)于激光脈沖的拾取/脈沖選通應(yīng)用而言，當(dāng)脈寬小于100皮秒時(shí)，損傷閾值大約為10GW/cm2.
型號(hào) | BBO1150-3 | BBO1150-4 | BBO1150-5 | BBO1150-6 |
孔徑/直徑, mm | 3 | 4 | 5 | 6 |
半波延遲電壓,KV @633nm @800nm @1064nm | 3.4 4.3 5.8 | 4.6 5.8 7.7 | 5.7 7.2 9.6 | 6.9 8.7 11.5 |
晶體材料 | BBO | |||
透過率 | >98％ 400-1064nm | |||
消光比(全孔徑) | >1000:1@633nm | |||
上升時(shí)間, 皮秒 | <350 | |||
電容，pf | 6 | |||
峰值損傷閾值 | 850MW/cm2 <10ns, 10GW/cm2.<100ps @350-1100nm | |||
和BBO電光Q開關(guān)是美國fastpulse公司制造1150 BBO電光調(diào)制器,先后為北京大學(xué),中科院上海光機(jī)所,中國工程物理研究院,航天3院,哈工大,南開,山東大學(xué)等單位提供優(yōu)質(zhì)進(jìn)口的和BBO電光Q開關(guān).
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