氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導體，第三代半導體的典型代表。與*代半導體硅基的器件相比，GaN器件具有更高耐壓、更快開關頻率、更小導通電阻等特性，在功率電子器件領域得到廣泛應用。相關研究顯示，GaN器件適用于68%的功率器件市場；在功率轉換電路中應用GaN器件可消除整流器在進行交直流轉換時90%的能量損失，*提高了能源利用效率；可使筆記本等電源適配器的體積縮小，減小設備體積，提高集成度。
在實際應用中，為實現失效安全的增強模式(E-mode)操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結構的MIS柵、p-GaNregrowth柵增強型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態密度直接影響器件閾值電壓均勻性、柵極可靠性，在大規模量產中會直接影響器件的量產良率。
近期，*蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢團隊博士研究生蘇帥、鐘耀宗等在p-GaN Regrowth器件制備技術、器件可靠性測試分析技術等方面取得進展，制備的器件閾值電壓達到~1.7 V@ IDS = 10 μA/mm、開關比達5×1010、輸出電流400mA/mm以上，器件綜合性能優異；在柵極凹槽深度高均勻性的精確控制及減小凹槽界面態密度方面，利用自主創新的MOCVD熱分解自終止技術手段實現了精確可控的柵極凹槽制備，且凹槽深度均勻性大幅提高，同時柵極界面態密度減小1~2個數量級，達到 ~1011 eV-1·cm-2 ，有助于高性能MIS、pGaN柵極增強型器件的研發。
相關成果發表在電子器件領域期刊IEEE Electron Device Letters 、ACS Applied Materials & Interfaces、IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics，以及第三十二屆功率半導體器件和集成電路會議上。主要作者為蘇帥、鐘耀宗，通訊作者為孫錢、副研究員周宇。研究得到自然科學基金、重點研發計劃課題、中科院重點前沿科學研究計劃、江蘇省重點研發計劃項目。
原標題：蘇州納米所在功率半導體器件和集成電路研究中取得進展
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