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日本開發氮化鎵單晶基板量產法

2023年06月22日 08:08:25      來源:焦作眾成新材料有限責任公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量:39

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  日本東北大學、日本制鋼所公司和三菱化學公司合作,開發出了可量產直徑2英寸以上的氮化鎵單晶基板的低壓酸性氨熱(LPAAT)法。通過實現低壓晶體生長,能以相對較小的晶體生長爐量產大型晶體。利用LPAAT法在基于SCAAT法的氮化鎵籽晶上制作的2英寸長氮化鎵單晶基板,具有晶體鑲嵌性低(對稱面和非對稱面的X射線搖擺曲線半值寬度在28秒內)、基板幾乎沒有曲翹(曲率半徑約為1.5公里)的良好晶體結構特性。

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