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3納米官宣!

2023年08月09日 15:10:35      來源：上海雋思實驗儀器有限公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量：53

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三星電子實現GAA“多橋-通道場效應晶體管”（簡稱: MBCFET Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強芯片性能。


三星首先將納米片晶體管應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領域。


相較三星5納米（nm）而言，優化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%.


2022年6月30日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子宣布, 基于3nm全環繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。

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