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IC厭氧反應器的基本條件

2025年05月09日 11:43:53      來源:山東基旭環境工程有限公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量:29

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IC厭氧反應器的基本條件


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ic厭氧反應器設備的基質

  培育顆粒污泥首先對基質有一定的請求,普通的,在培育顆粒污泥的基質中COD:N:P=110——200:5:1.而有機廢液的基質可分為偏碳水化合物類和偏蛋白質類。為了能順利培育出顆粒污泥,關于偏碳水化合物類的污水需求添加N和P.而關于偏蛋白質類的污水需求添加碳源(如葡萄糖等)。有學者研討標明,不添加碳源,顆粒污泥的構成較為艱難可見,恰當比例的碳源對促成顆粒污泥構成是必要的。

 ic 厭氧反應器需要的溫度

  廢水中的厭氧處置主要依托微生物的生命活動來到達處置的目的,不同微生物的生長需求不同的溫度范圍。溫度稍有幾度的差異,就可在兩類主要種群之間形成不均衡。因而,溫度對顆粒污泥的培育很重要。顆粒污泥在低溫(15——25℃)、中溫(30——40℃)和高溫(50——60℃)都有過勝利的經歷。

  普通的,高溫較中溫的培育時間短,但由于高溫下NH3與某些化合物混合毒性會增加,因此招致其應用上受一定的限制;中溫普通控制在35℃左右,在其它條件恰當的狀況下,經1——3個月可勝利的培育出顆粒污泥;低溫下培育顆粒污泥的研討較少,但有文獻報道在運用顆粒污泥低溫馴化后處置底濃度制藥廢水的實驗中,COD的去處率達90%,獲得了較好的效果,因此低溫培育顆粒污泥將是今后的研討的重點之一。




污水處理設備



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