NAND是一種非易失性存儲，斷電后仍能保存數據工業存儲。NAND閃存在MP3播放器、相機和SSD中很受歡迎。在閃存的早期階段，研究人員在相同尺寸的硅片上增加了兩個維度的密度，同時穩步降低了每千兆比特的成本。這是通過減少數據單元的大小來實現的。

　　·單層單元(SLC，Single-Level Cell)結構，即每個單元有一個bit，其后是多層單元(MLC)和三層單元(TLC)設計。但隨著單元的收縮，維持其耐力變得更具挑戰性，性能增長開始放緩，因此其更進一步的盈利前景看起來似乎不太好。

　　·不過，閃存設計從二維進步到了三維。3D V-NAND閃存芯片可以使單元層垂直地疊加在一起，使得密度和功耗更低、讀/寫速度更快、耐力更強。

　　·3D NAND并不是SSD的創新領域。存儲級內存(SCM)是一種新的持久存儲技術，市場上比較典型的產品有3D XPoint(英特爾)、Z-SSD(三星)等。它有時也被稱為持續內存(PMEM)。它支持以較小的大小編寫數據，并促進更快、更高效的讀/寫過程。這種內存技術的密度是普通閃存的10倍，比普通閃存快1000倍。

　　·另一個重要的發展是非易失性存儲器(NVMe)技術的出現。NVMe規范允許SSD使用高速PCIe總線來減少延遲、提高IOPS以及減少功耗。當與雙端口系統結合時，NVMe帶來了橫向擴展和縱向擴展的企業SSD架構。這將使非易失性的內存盡可能地接近處理器，與單個企業SATA SSD相比，其速度要快10倍。

　　這種快速、非易失性存儲在某種程度上彌補了RAM和SSD之間的差距，性能價格比介于兩者之間。它可以像任何其他存儲設備一樣被操作系統訪問，也可以被部署在DIMM槽中，作為內存由操作系統訪問。

　　Z高容量：SSD VS HDD

　　在很久以前，1 TB HDD的發布就可以說是一個大新聞了，而且HDD的容量一般比SSD要大。但這種情況很快就發生了戲劇性的變化。3D NAND SSD容量超過1 TB(2.5英寸)的現在已經很常見了，三星Z近發布了30 TB的SSD，并發布了一個產品路線圖，計劃在2020年之前發布100 TB SSD。到那時，3D NAND將獲得企業SSD市場的Z大份額。企業SSD容量每年增加一倍，已超過了HDD的容量增長。在順序讀取2000 MB/s、隨機讀取操中高達120k的IOPS，這樣的性能如今在NAND和V-NAND技術中已十分常見。

　　高容量SSD對許多應用程序來說是有意義的，但不是全部。它們對云應用程序很有好處，例如，支持內容共享流量的視頻和媒體流，以及活躍的歸檔應用程序，在這些應用程序中，高度敏感的信息不會被覆蓋。但是，讀取密集型工作負載可能需要適當大小的持久性，以便為用戶提供數據吞吐量的一致性，以確保快速交付用戶請求的信息。這使得企業SSD在容量和性能之間達到平衡的需求越來越大。