簡述磁阻傳感器及巨磁電阻傳感器工作原理

磁阻傳感器是由一長條鐵磁薄膜(如透磁合金、鎳鐵合金)制成的。用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體技術(shù)將這些薄膜熔制在硅片上。板的厚度有幾百埃(150-500)，寬度為幾十微米(10-50)，長度從幾百至幾千微米。

巨磁電阻傳感器是基于電子自旋相關(guān)散射效應(yīng)，它是磁敏傳感器家族中的一枝新秀，具有靈敏度高、探測范圍寬、抗惡劣環(huán)境等優(yōu)點(diǎn)，GMR巨磁電阻傳感器可利用半導(dǎo)體曝光和刻蝕工藝，使該元件集成化、小型化，利用各種不同的GMR薄膜材料和硬磁薄膜材料及軟磁薄膜材料可以作出不同用途的線性和數(shù)字型磁場傳感器，GMR磁場傳感器的性能價(jià)格比遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其它幾種磁場傳感器。

GMR巨磁電阻傳感器主要用于探測磁場、電流、位移、角速度等領(lǐng)域。

磁阻傳感器是由一長條鐵磁薄膜(如透磁合金、鎳鐵合金)制成的。用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體技術(shù)將這些薄膜熔制在硅片上。板的厚度有幾百埃(150-500)，寬度為幾十微米(10-50)，長度從幾百至幾千微米的,巨磁阻效應(yīng)(GMR)是*近才發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象，它基于電子通過數(shù)層疊層中，非常薄鐵磁層和非磁性層(25-50埃)之間的界AMR面散射。這是由于磁阻效應(yīng)與上述效應(yīng)相比顯得大而如此命名。當(dāng)兩個(gè)相鄰的鐵磁層有反向磁化強(qiáng)度時(shí)，電阻要高于它們在同一方向上的磁化強(qiáng)度矢量。

GMR是由法國的M. N. Baibich等人1988在年發(fā)現(xiàn)的，已成為重大研究課程GMR。通過新興的技術(shù)我們有希望制造G出高靈敏度的小型傳感器。迄今為止，MR效應(yīng)需要工作在高強(qiáng)度的磁場并伴有高分貝噪聲，這使得它不能應(yīng)用于大范圍的傳感器產(chǎn)品中。電阻變化所需的磁場變10O化需從e到幾千Oe，而靈敏度尚未達(dá)MR到或磁通門裝置的靈敏度。但正繼續(xù)朝著開發(fā)更低磁場的方向發(fā)展。