兩者都是功率開關管，場效應管主要用于消費類的電源供應器，部分低功率的工業產品也有採用，而IGBT則主要用于工業用途，比如IGBT高頻整流器。因為一般普及的場效應管只可應用于DC650V左右的電壓，而超過這個電壓的MOSFET，會有比較大的損耗。故此只適合單相輸入(AC220~230V)的電器裝置，其輸出功率一般不會超過3KW。
因為消費市場有大量需求，所以MOSFET的價格是非常有競爭力。IGBT可應用的電壓在DC1200V以上，它適合三相輸入(AC380V)的電器裝置，而因為三相的應用，輸入電源的電流亦容易達致平衡。
所以大功率的高頻整流器都是采用IGBT元件，但因為主要用于工業用途，數量不及消費類的產品，所以價格都比較貴。
在技術方面，MOSFET的運作頻率可高達500K Hz以上，而IGBT一般都不會超過40K Hz。故此，由IGBT組成的高頻整流器的體積都是大的；在結構上，內部的零件也比較多。
在損耗方面，MOSFET大部分都是它在導通狀態下的內阻所構成，而新一代開發的MOSFET內阻都非常低，損耗比較小。IGBT的主體是個晶體管，它的損耗主要來自Vce的電壓降(一般在1.7V之間)，故此與MOSFET比較，IGBT損耗會比較大；但它的應用電壓高，也是它的優點。
過去幾年，已開始有廠家生產以碳化硅(Silicon Carbide)為材料的場效應管，在日本已開始應用。它除了有保持低損耗和高頻的優點外，還可以工作在超過DC1200V電壓的地方。所以，從節能要求來看，在將來的高頻整流器市場，碳化硅場效應管很可能會代替IGBT元件。但目前，碳化硅場效應管的價格還是非常高，與現有的場效應管比較，大概在8倍以上。
結論
(1)在選擇開關式電鍍高頻整流器時，應選有功率因素修正設置的器材。市場上有有源功率因素修正器(A c t i v e Power Factor Correction-PFC)的
整流器，功率因素一般在0.98或以上。
(2)一臺高頻整流器如能集合上述改善損耗的設計，它的整體效率能夠增加5%-10%。
