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本公司專業(yè)代理：光耦（光電耦合器）、場效應(yīng)管MOSFET、集成電路、IC芯片、二三極管、MCU單片機(jī)、電阻、電容、電感等電子元器件，是TOSHIBA東芝代理商、ST代理商、ROHM代理商、MURATA代理商。歡迎廣大的客戶產(chǎn)品信息，我們承諾只做原裝。

東芝提供具有各種電路結(jié)構(gòu)和封裝的低VDSS和中/高VDSS MOSFET廣泛產(chǎn)品組合，可實現(xiàn)高速、高性能、低損耗、低導(dǎo)通電阻、小型封裝等特點。

東芝擁有數(shù)十年的MOSFET開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗。其主要產(chǎn)品包括VDSS為600V左右的中至高壓COOLMOS系列，以及VDSS為12V至250V的低壓U-MOS系列。

隨著智能手機(jī)，平板電腦和日益成熟，功能豐富等移動設(shè)備，它們的電池驅(qū)動電路變得更加靈活和密集。因此，MOSFET的小形式因子，低導(dǎo)通電阻，高電流額定值，低電容和高允許功率耗散是必需的。為了滿足這些需求，東芝開發(fā)新的工藝和封裝技術(shù)，實現(xiàn)MOSFET的理想的高性能電源應(yīng)用。

東芝公司提供廣泛的低VDSS和投資組合中/高VDSS MOSFET的各種電路配置和包裝，具有高速，高性能，低損耗，低導(dǎo)通電阻，小包裝等，東芝擁有數(shù)十年的經(jīng)驗，在開發(fā)和制造的MOSFET。其主要產(chǎn)品有中到高壓DTMOSIV系列具有600 V左右VDSS和低電壓U-MOSVIII-H系列具有30 V至250 V的VDSS

東芝功率MOSFET使用雙擴(kuò)散MOS（D-MOS）結(jié)構(gòu)，可提供高耐壓，以形成通道。這種結(jié)構(gòu)是特別適合于高耐壓和大電流的設(shè)備。高集成水平產(chǎn)生了高性能功率MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和低功耗。

?U型的MOS高等信道密度是通過連接通道垂直，以形成一個U形槽在柵極區(qū)域中，能產(chǎn)生一個較低的導(dǎo)通電阻比其他的MOSFET結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)的。溝槽結(jié)構(gòu)主要用于相對低VDSS的MOSFET。

?DTMOS超級結(jié)結(jié)構(gòu)，其具有P型柱層如左側(cè)所示，實現(xiàn)了高耐壓和導(dǎo)通電阻比硅的常規(guī)理論極限低。

雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu) 溝槽結(jié)構(gòu) 超結(jié)結(jié)構(gòu)

TOSHIBA的MOSFET滿足應(yīng)用廣泛的需求。

開關(guān)電源應(yīng)用的高速系列

高效MOSFET系列AC-DC和DC-DC電源，制造采用了的根8溝槽柵工藝

低VDSS MOSFET的VDSS = 12 V至250 V

MED-高VDSS MOSFET的VDSS = 200 V至900V，

汽車MOSFET

對開關(guān)電源的應(yīng)用高速系列

超級結(jié)DTMOS系列實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷（Qg），由于采用了的超結(jié)結(jié)構(gòu)。功能和產(chǎn)品系列 產(chǎn)品選擇指南 產(chǎn)品陣容

超級結(jié)DTMOS系列

加入到/ -MOS組合，/ -MOSVII系列提供了降低電容，由于優(yōu)化的芯片設(shè)計，并提供了極大的更廣泛的電氣特性。

汽車級MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，低電容，大電流和高品質(zhì)，并幫助提高性能，降低汽車應(yīng)用的功耗。

低導(dǎo)通電阻系列負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用

東芝公司提供的U-MOSVIII-H等系列采用了VDSS為12 V至250 V.這些MOSFET系列產(chǎn)品結(jié)合*的溝槽柵工藝和封裝技術(shù)，提供低導(dǎo)通電阻和高速切換。我們的產(chǎn)品組合包括MOSFET的適合于各種應(yīng)用小包裝門類齊全。 Q＆MOSFET陣容

智能手機(jī)/平板電腦

應(yīng)用實施例為移動設(shè)備隨著電池容量的移動設(shè)備的增加，充電電流也增加。為了滿足高電流需求，東芝提供小包裝具有低功耗的MOSFET。這些MOSFET適用于大電流充電電路開關(guān)應(yīng)用。