產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：NVTJD4001NT1G封裝：SOT-363批次：21+數量：6000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-363-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：250mARdsOn-漏源導通電阻：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | NVTJD4001NT1G |
| 封裝： | SOT-363 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 6000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-363-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 250 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 4 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 800 mV |
| Qg-柵極電荷： | nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 272 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NTJD4001N |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 80 mS |
| 下降時間： | 82 ns |
| 上升時間： | 23 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 94 ns |
| 典型接通延遲時間： | 17 ns |
| 單位重量： | mg |
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