技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | TI |
| 型號(hào)： | CSD17308Q3 |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 14A（Ta），44A（Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）： | 毫歐 @ 10A，8V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）： | @ 250µA |
| Vgs（值）： | +10V，-8V |
| 功率耗散（值）： | （Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30 V |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）： | nC @ V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）： | 700 pF @ 15 V |
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