N溝道 Si MOSFET IRLB3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3針 TO-220AB封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續(xù)漏極電流 | 270 A |
| 大漏源電壓 | 60 V |
| 大漏源電阻值 | 2 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±16 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 380000 mW |
| 高度 | 9.02mm |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 9.02mm |
| 長度 | 10.67mm |
| Board Level Components | Y |
| 典型關(guān)斷延遲時間 | 110 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 11210 pF@ 50 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 4.83mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 91 nC @ 4.5 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型接通延遲時間 | 66 ns |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 系列 | HEXFET |
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