N溝道 Si MOSFET FDB8447L, 50 A, Vds=40 V, 3針 TO-263AB封裝
MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類(lèi)型。 *的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
| 通道類(lèi)型 | N |
| 大連續(xù)漏極電流 | 50 A |
| 大漏源電壓 | 40 V |
| 大漏源電阻值 | 0.0124 Ω |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類(lèi)型 | TO-263AB |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 類(lèi)別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 60 W |
| 高度 | 4.83mm |
| Board Level Components | Y |
| 寬度 | 11.33mm |
| 典型輸入電容值@Vds | 1970 pF@ 20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 28 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間 | 11 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 尺寸 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
| 長(zhǎng)度 | 10.67mm |
| 高工作溫度 | +150 °C |
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