產品簡介
N溝道SiMOSFETNDP7060,75A,Vds=60V,3針TO-220封裝通道類型N大連續漏極電流75A大漏源電壓60V大漏源電阻值24mΩ小柵閾值電壓2V大柵源電壓±20V封裝類型TO-220安裝類型表面貼裝引腳數目3晶體管配置單通道模式增強大功率耗散150W尺寸10
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET NDP7060, 75 A, Vds=60 V, 3針 TO-220封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 75 A |
| 大漏源電壓 | 60 V |
| 大漏源電阻值 | 24 mΩ |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 大功率耗散 | 150 W |
| 尺寸 | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
| 長度 | 10.67mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 高度 | 16.3mm |
| Board Level Components | Y |
| 典型接通延遲時間 | 17 ns |
| 低工作溫度 | -65 °C |
| 典型關斷延遲時間 | 54 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 2960 pF@ 25 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.7mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 100 nC @ 10 V |
- 上一篇： BTA06-600B 三端雙向可控硅BTA08-600B
- 下一篇： 創捷思 三極管 TIP29CG
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。