N溝道 Si MOSFET STD7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3針 DPAK封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續(xù)漏極電流 | 6 A |
| 大漏源電壓 | 800 V |
| 大漏源電阻值 | 1.2 Ω |
| 大柵閾值電壓 | 5V |
| 小柵閾值電壓 | 3V |
| 大柵源電壓 | ±30 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 110 W |
| 典型接通延遲時間 | 11.3 ns |
| 長度 | 6.6mm |
| 高度 | 2.4mm |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| Board Level Components | Y |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 6.2mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 13.4 nC @ 10 V |
| 典型輸入電容值@Vds | 360 pF @ 100 V |
| 系列 | MDmesh K5 MDmesh K5, SuperMESH5 SuperMESH5 |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 典型關斷延遲時間 | 23.7 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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