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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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IRFB4227 IRFB4227PBF MOS場(chǎng)效應(yīng)管 大電流65A200V 電動(dòng)機(jī)控制

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 67
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRFB4227PBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他場(chǎng)效應(yīng)管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 16:46:10
  • 瀏覽次數(shù)：6
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-06-14
  • 最近登錄：2023-06-14
  • 聯(lián)系人：范釗偉
  • 電    話：15813706070
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

系列N溝道SiMOSFETIRFB4227PBF,65A,Vds=200V,3針TO-220AB封裝 通道類型N大連續(xù)漏極電流65A大漏源電壓200V大漏源電阻值24mΩ大柵閾值電壓5V小柵閾值電壓3V大柵源電壓±30V封裝類型TO-220AB安裝類型通孔晶體管配置單引腳數(shù)目3通道模式增強(qiáng)類別功率MOSFET大功率耗散330W每片芯片元件數(shù)目1長(zhǎng)度10

詳情介紹

系列 N溝道 Si MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3針 TO-220AB封裝

通道類型N
大連續(xù)漏極電流65 A
大漏源電壓200 V
大漏源電阻值24 mΩ
大柵閾值電壓5V
小柵閾值電壓3V
大柵源電壓±30 V
封裝類型TO-220AB
安裝類型通孔
晶體管配置單
引腳數(shù)目3
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
大功率耗散330 W
每片芯片元件數(shù)目1
長(zhǎng)度10.66mm
典型輸入電容值@Vds4600 pF@ 25 V
典型柵極電荷@Vgs70 nC @ 10 V
低工作溫度-40 °C
Board Level ComponentsY
高工作溫度+175 °C
系列HEXFET
高度9.02mm
尺寸10.66 x 4.82 x 9.02mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間21 ns
寬度4.82mm
晶體管材料Si
典型接通延遲時(shí)間33 ns



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