NGTB50N60S1WG, N溝道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 1MHz, 3針 TO-247封裝
IGBT 分立，On Semiconductor
絕緣柵級雙極性晶體管 (IGBT)，用于電動機(jī)驅(qū)動器和其他高電流切換應(yīng)用。
IGBT 分立，On Semiconductor
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 大連續(xù)集電極電流 | 100 A |
| 大集電極-發(fā)射極電壓 | 600 V |
| 大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
| 大功率耗散 | 208 W |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 開關(guān)速度 | 1MHz |
| 晶體管配置 | 單 |
| 配置 | 單 |
| 長度 | 16.25mm |
| 寬度 | 5.3mm |
| 高度 | 21.4mm |
| 尺寸 | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
| 柵極電容 | 5328pF |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 低工作溫度 | -55 °C |
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