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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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STP16NF06 P16NF06 MOSFET晶體管 N溝道16A60V MOS場效應(yīng)管TO-220

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:￥ 62
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：STP16NF06
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：PLC
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-14 16:51:52
  • 瀏覽次數(shù)：5
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-14
  • 最近登錄：2023-06-14
  • 聯(lián)系人：范釗偉
  • 電    話：15813706070

產(chǎn)品簡介

N溝道SiMOSFETSTP16NF06,16A,Vds=60V,3針TO-220封裝通道類型N大連續(xù)漏極電流16A大漏源電壓60V大漏源電阻值100mΩ大柵閾值電壓4V小柵閾值電壓2V大柵源電壓±20V封裝類型TO-220安裝類型通孔引腳數(shù)目3晶體管配置單通道模式增強(qiáng)類別功率MOSFET大功率耗散45W典型關(guān)斷延遲時間17ns每片芯片元件數(shù)目1寬度4

詳情介紹



N溝道 Si MOSFET STP16NF06, 16 A, Vds=60 V, 3針 TO-220封裝

通道類型N
大連續(xù)漏極電流16 A
大漏源電壓60 V
大漏源電阻值100 mΩ
大柵閾值電壓4V
小柵閾值電壓2V
大柵源電壓±20 V
封裝類型TO-220
安裝類型通孔
引腳數(shù)目3
晶體管配置單
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
大功率耗散45 W
典型關(guān)斷延遲時間17 ns
每片芯片元件數(shù)目1
寬度4.6mm
典型接通延遲時間7 ns
典型柵極電荷@Vgs10 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds315 pF@ 25 V
低工作溫度-55 °C
晶體管材料Si
尺寸10.4 x 4.6 x 9.15mm
長度10.4mm
Board Level ComponentsY
高度9.15mm
系列STripFET
高工作溫度+175 °C
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