產品簡介
N溝道SiMOSFETSPW20N60C3,21A,Vds=650V,3針TO-247封裝通道類型N大連續漏極電流21A大漏源電壓650V大漏源電阻值190mΩ大柵閾值電壓3
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET SPW20N60C3, 21 A, Vds=650 V, 3針 TO-247封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 21 A |
| 大漏源電壓 | 650 V |
| 大漏源電阻值 | 190 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 208 W |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 87 nC @ 10 V |
| 典型輸入電容值@Vds | 2400 pF@ 25 V |
| 典型關斷延遲時間 | 67 ns |
| 寬度 | 5.3mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 10 ns |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 20.95mm |
| 系列 | CoolMOS C3 |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 15.9mm |
| 尺寸 | 15.9 x 5.3 x 20.95mm |
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