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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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IRFB3307Z IRFB3307ZPBF 場(chǎng)效應(yīng)三極管 N溝道120A75V 電動(dòng)機(jī)控制

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 57.5
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRFB3307ZPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 16:58:19
  • 瀏覽次數(shù)：6
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-06-14
  • 最近登錄：2023-06-14
  • 聯(lián)系人：范釗偉
  • 電    話：15813706070

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N溝道SiMOSFETIRFB3307ZPBF,120A,Vds=75V,3針TO-220AB封裝 通道類型N大連續(xù)漏極電流120A大漏源電壓75V大漏源電阻值6mΩ大柵閾值電壓4V小柵閾值電壓2V大柵源電壓±20V封裝類型TO-220AB安裝類型通孔引腳數(shù)目3晶體管配置單通道模式增強(qiáng)類別功率MOSFET大功率耗散230000mW高工作溫度+175°C系列HEXFET高度9

詳情介紹

N溝道 Si MOSFET IRFB3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3針 TO-220AB封裝

通道類型N
大連續(xù)漏極電流120 A
大漏源電壓75 V
大漏源電阻值6 mΩ
大柵閾值電壓4V
小柵閾值電壓2V
大柵源電壓±20 V
封裝類型TO-220AB
安裝類型通孔
引腳數(shù)目3
晶體管配置單
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
大功率耗散230000 mW
高工作溫度+175 °C
系列HEXFET
高度9.02mm
Board Level ComponentsY
典型關(guān)斷延遲時(shí)間38 ns
典型輸入電容值@Vds4750 pF@ 50 V
典型柵極電荷@Vgs79 nC @ 10 V
低工作溫度-55 °C
晶體管材料Si
每片芯片元件數(shù)目1
寬度4.82mm
典型接通延遲時(shí)間15 ns
尺寸10.66 x 4.82 x 9.02mm
長(zhǎng)度10.66mm



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