產品簡介
N溝道SiMOSFETSTD3NK90ZT4,3A,Vds=900V,3針DPAK封裝通道類型N大連續漏極電流3A大漏源電壓900V大漏源電阻值4
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3針 DPAK封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 3 A |
| 大漏源電壓 | 900 V |
| 大漏源電阻值 | 4.8 Ω |
| 大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 小柵閾值電壓 | 3V |
| 大柵源電壓 | ±30 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 90 W |
| 典型關斷延遲時間 | 45 ns |
| 典型接通延遲時間 | 18 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型輸入電容值@Vds | 590 pF@ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 22.7 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 6.2mm |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 系列 | MDmesh MDmesh, SuperMESH SuperMESH |
| 高度 | 2.4mm |
| Board Level Components | Y |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 長度 | 6.6mm |
| 低工作溫度 | -55 °C |
- 上一篇： 創捷思 集成電路、處理器、微控制器 AT
- 下一篇： KBPC810 單相 橋式整流器 8A 1000V 整
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。