雙 N/P溝道 Si MOSFET FDD8424H, 6.5 A，9 A, Vds=40 V, 5針 TO-252封裝
PowerTrench® 雙 N/P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是優化的電源開關，可提高系統效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽柵極結構，可提供電荷平衡。 利用這一*技術，這些設備的 FOM（品質因素）顯著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。
MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 *的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統啟動和運行更長時間。
| 通道類型 | N，P |
| 大連續漏極電流 | 6.5 A，9 A |
| 大漏源電壓 | 40 V |
| 大漏源電阻值 | 24 mΩ，54 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 3V |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 晶體管配置 | 共漏極 |
| 引腳數目 | 5 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 3100 mW |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 長度 | 6.73mm |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 高度 | 2.39mm |
| Board Level Components | Y |
| 寬度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 7 ns |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14 nC @ 10 V（N 溝道），17 nC @ 10 V（P 溝道） |
| 典型輸入電容值@Vds | 750 pF@ 20 V, 1000 pF@ 20 V |
| 典型關斷延遲時間 | 17 ns, 20 ns |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。