產品簡介
N溝道SiMOSFETIRFR220NPBF,5A,Vds=200V,3針DPAK封裝通道類型N大連續漏極電流5A大漏源電壓200V大漏源電阻值600mΩ大柵閾值電壓4V小柵閾值電壓2V大柵源電壓±20V封裝類型DPAK安裝類型表面貼裝引腳數目3晶體管配置單通道模式增強類別功率MOSFET大功率耗散43W長度6
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3針 DPAK封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 5 A |
| 大漏源電壓 | 200 V |
| 大漏源電阻值 | 600 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 4V |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 43 W |
| 長度 | 6.73mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 寬度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| Board Level Components | Y |
| 典型關斷延遲時間 | 20 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 300 pF@ 25 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 高度 | 2.39mm |
| 系列 | HEXFET |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 典型接通延遲時間 | 6.4 ns |
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