產品簡介
技術參數品牌：ON型號：NVMFD5C470NT1G封裝：DFN-8批次：21+數量：1380制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：DFN-8晶體管極性：N-Channel通道數量：2ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續漏極電流：36ARdsOn-漏源導通電阻：11
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | NVMFD5C470NT1G |
| 封裝： | DFN-8 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 1380 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | DFN-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 40 V |
| Id-連續漏極電流： | 36 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 11.7 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 8 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 28 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Dual |
| 下降時間： | 4.5 ns |
| 上升時間： | 14 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 16 ns |
| 典型接通延遲時間： | 8 ns |
| 單位重量： | 136.090 mg |
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