碳化硅SiC具有優異的物理化學性能，如高熔點、高硬度、耐腐蝕、抗氧化等，特別是在1800-2000℃范圍，具有良好的抗燒蝕性能，因此，在航空航天、兵器裝備等領域具有廣闊的應用前景。但SiC本身不能作為結構材料使用，所以通常采用制備涂層的方法，以利用其耐磨性以及抗燒蝕性。
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碳化硅SiC具有優異的物理化學性能，如高熔點、高硬度、耐腐蝕、抗氧化等，特別是在1800-2000℃范圍，具有良好的抗燒蝕性能，因此，在航空航天、兵器裝備等領域具有廣闊的應用前景
碳化硅SiC具有優異的物理化學性能，如高熔點、高硬度、耐腐蝕、抗氧化等，特別是在1800-2000℃范圍，具有良好的抗燒蝕性能，因此，在航空航天、兵器裝備等領域具有廣闊的應用前景。但SiC本身不能作為結構材料使用，所以通常采用制備涂層的方法，以利用其耐磨性以及抗燒蝕性。
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