產品簡介
技術參數品牌：英飛凌型號：AUIRF3205Z批號：18+封裝：數量：20200QQ：制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：55VId-連續漏極電流：110ARdsOn-漏源導通電阻：6
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | 英飛凌 |
| 型號： | AUIRF3205Z |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： |
| 數量： | 20200 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 55 V |
| Id-連續漏極電流： | 110 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Qg-柵極電荷： | 76 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| Pd-功率耗散： | 170 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 封裝： | Tube |
| 高度： | mm |
| 長度： | 10 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 商標： | Infineon / IR |
| 下降時間： | 67 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 95 ns |
| 工廠包裝數量： | 1000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 45 ns |
| 典型接通延遲時間： | 18 ns |
| 零件號別名： | SP001518518 |
| 單位重量： | 6 g |
- 上一篇： VISHAY 集成電路、處理器、微控制器 DG
- 下一篇： FUJITSU 集成電路、處理器、微控制器 M
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。