產品簡介
技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI2319CDS-T1-GE3封裝：Bulk批次：22+數量：20000類別：分立半導體產品晶體管-FET
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型號： | SI2319CDS-T1-GE3 |
| 封裝： | Bulk |
| 批次： | 22+ |
| 數量： | 20000 |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | P 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 40 V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 4.4A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 77 毫歐 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 595 pF @ 20 V |
| 功率耗散（值）： | 1.25W（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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