技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | NCV8402ASTT1G |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SOT223 |
| 數量： | 50000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-223-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 42 V |
| Id-連續漏極電流： | 2 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 200 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.3 V |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.7 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NCV8402A |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 下降時間： | 50 us |
| 上升時間： | 120 us |
| 典型關閉延遲時間： | 20 us |
| 典型接通延遲時間： | 25 us |
| 單位重量： | 250 mg |
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