技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI2369DS-T1-GE3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SOT-23-3 |
| 數(shù)量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-23-3 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 7.6 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 29 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.2 V |
| Qg-柵極電荷： | 17 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.45 mm |
| 長度： | 2.9 mm |
| 系列： | SI2 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 1.6 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 18 S |
| 下降時間： | 6 ns |
| 上升時間： | 4 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 38 ns |
| 典型接通延遲時間： | 13 ns |
| 單位重量： | 8 mg |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。